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    激光打標機的半導體激光器高光束質(zhì)量是材料加工用的重要基本要求。為了提高大功率的輸出功率,可以將十幾個或幾十個單管激光器芯片集成封裝、形成激光器巴條,將多個巴條堆疊起來可形成激光器二維疊陣,激光器疊陣的可以達到千瓦級甚至更高。但是隨著半導體激光器條數(shù)的增加,其光束質(zhì)量將會下降。另外,半導體激光器結(jié)構(gòu)的特殊性決定了其快、慢軸光束質(zhì)量不一致:快軸的光束質(zhì)量接近衍射極限,而慢軸的光束質(zhì)量卻比較差,這使得半導體激光器在工業(yè)應用中受到了很大的限制。要實現(xiàn)高質(zhì)量、寬范圍的,激光器必須同時滿足高功率和高光束質(zhì)量。因此,現(xiàn)在發(fā)達國家均將研究開發(fā)新型高功率、高光束質(zhì)量的大功率半導體激光器作為一個重要研究方向,以滿足要求更高功率密度的激光材料加工應用的需求。
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